第276章 不是芯片！是未來啊！（第5/5頁）

其他的功績暫且不提，這位大佬在業界最知名的舉動大概是在四年前曾經直接向英特爾宣戰，向法院提起訴訟，指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專利，要求賠償至少2億元，同時請求法院對酷睿系列產品實施禁售。

要知道這可不是無理取鬧。當年Intel曾在中國和美國兩地試圖5次去無效掉中科院微電子所的這件FinFET專利，最終都以失敗告終。

這項華夏專利號ZL201110240931.5的專利主要就是能夠有效提升芯片集成度並降低制造成本，屬於當年最先進的半導體技術核心專利，當年正是在這位鐘院士帶領下，無數人攻關獲得的成功。雖然最後這場官司以雙方和解告終，但在當時的環境下的確在業內惹起了極大的轟動。

“嘿，老鐘啊，我說怎麽今天沒看到你呢，搞了半天在實驗室呢？”張元一進門便打了聲招呼。

“老張，來了啊，你來看看這個，太神奇了。大家都來看看吧。”回頭看到張元，鐘成明根本來的寒暄，直接招手說道。

“哦？來了，來了。”一群剛進實驗室的大佬們紛紛湊到了屏幕前，此時操作台電腦屏幕上顯示的是通過微分幹涉顯微鏡觀察到的芯片內部結構，如果能看到芯片本體大概就會發現，昨晚三月手搓出的芯片封裝已經被拆開，內部的完整結構全部通過顯微鏡展現在顯示器上。

入目是按照一定規律排列整的管狀矽，矽管體內外部分都攀附著密密麻麻的晶體管，切換角度還能看到矽底座上有線路將所有這些矽通管做著連接。

“這，三維結構的？”

“對，三維結構的！今天拿過來的，一共給了我們三枚芯片進行檢測，其中兩枚在做性能方面的測試，這一枚我們直接拆開了研究內部結構。它的基底材料依然是矽，但是晶體管全部使用的是CNT材料。整體采用的是180nm的制作工藝，顯然這工藝水平還有極大的進步空間。”

“還有剛才已經出來部分性能檢測報告，具體報告等會大家都能看到，現在只能告訴大家，結果還是很喜人的。天才的設計，真的，天才的設計。”

“他是怎麽解決散熱問題的？”

“散熱問題，看這裏，你們看這是基地跟封裝上的結構，看到邊緣上的碳納米束了吧？這個設計克服了界面熱阻，矽通孔側口外壁邊緣跟內部分別有四條線，這裏是用碳納米管進行填充，這種材料導熱率遠大於傳統材料，熱度更容易被傳遞出去，應該屬於一種新的全碳散熱結構。”

一排咽口水的聲音，很快又有新的質疑。

“他這是怎麽解決這種陣列帶來的串擾問題？這些矽通管如果同時加載電信號，輸出噪聲的峰值應該是各個單體通管輸出噪聲累加的吧？這樣設計真的不會有噪聲串擾問題？”

“對，當時看到這個結構我最先也懷疑這個問題，但你們看啊，這是檢測報告，證明了輸出噪聲並不比我們傳統的制造更大，這個問題我也沒太想清楚，不過經過一些簡單的電信號測試，我發現為了解決這個問題，芯片大概率是采用了信號與地間隔排列的方式。”

“來，大家看這個動態模擬，我們已經根據這個排列做了初步的建模。首先把工作信號注入，設定信號峰值為1V，周期分別為1ns跟0.1ns，上升時間跟下降時間為周期的4%，占空比為0.5，信號線接下端開路，上端接50Ω負載，按照電路模型運算結果顯示，其峰值串擾噪聲對其性能造成的影響幾乎可以忽略不計。因為即便是在其滿負載運轉之下，相鄰信號處理始終是間隔排列的，也就是內通跟外通兩種排序，對此我只能說，這真特麽是天才的設計！”

大佬們面面相覷……

“還有，這裏是我們預測的傳輸特性，通過公式大概計算了其各項電路參數，這裏是阻抗參數，發現沒有，這一結構除了散熱之外，使用碳納米管束通道填充技術還提高了信號傳輸性能，這裏量子電容的影響基本可以忽略，這裏也就只有電阻跟電感的變化。”

“同志們，這是全新的材料跟全新的結構跟全新的制作工藝啊！180nm制作工藝的性能已經足以跟市面上60nm制造工藝生產的射頻芯片性能相抗衡，甚至一些特性要優於目前的傳統芯片！可想而知，如果這項技術用於通用芯片設計，比如CPU、GPU，這哪裏是芯片？這特麽是未來啊！”

老鐘罕見的再次爆了句粗口！