第二百五十九章 p型、n型、共摻雜（第2/3頁）

沈靖拿到草稿紙後，微微一愣，旋即開始和方結明溝通，進行模型分析。

陳舟則再次回到座位坐好。

接下來，該輪到n型摻雜和共摻雜的問題了。

n型摻雜和共摻雜的問題，相比於p型摻雜，則要難上許多。

“第一次實現金剛石n型摻雜是在（111）面金剛石襯底上進行的，而且樣品在很寬的溫度範圍內都表現了n型半導體傳到特性……”

“在溫度500K時，霍爾遷移率在23cm2/（V·s）……”

“但是，相對於（111）面單晶金剛石襯底表面拋光難、缺陷多、尺寸小來說，（100）面取向襯底表面具有原子級的平整程度，缺陷小，外延膜質量也優於（111）面襯底金剛石……”

“可這也並不是絕對的，而且晶面的問題，也不是最為關鍵的因素……”

想到這，陳舟手中的筆停了下來，習慣性的在草稿紙上點著點。

這是陳舟思路受阻時的表現。

“再梳理一遍文獻資料……”

這樣想著的陳舟，放下了手中的筆，將目光再次移向電腦屏幕。

手中鼠標的滾輪不斷滑動，屏幕上的內容也在不斷變化。

但陳舟的眼睛卻一眨都不眨。

這些內容，他已經過了一遍了。

現在再看，只是尋找自己有沒有漏掉的地方。

好給自己受阻的思路，打開一個缺口。

“磷的摻雜濃度？”

“電子散射機制？”

“不是這部分的內容……”

“……1.7eV？”

“怎麽把這個數據忘了！”

看到這個內容時，陳舟的雙眼瞬間明亮起來。

n型摻雜，或者說磷摻雜金剛石，之所以難。

是因為磷原子比碳原子大，很難嵌入金剛石晶格。

當磷原子進入金剛石晶格內，會引起晶格扭曲，影響金剛石中的構型、鍵型和電荷分布。

磷摻雜金剛石中存在大量空位，也會與磷原子形成結合力很強的磷—空位缺陷。

這種缺陷的能級位於金剛石導帶底約1.7eV的位置上，可以補償施主，阻礙磷原子的電離。

進而導致難以獲得高質量的磷摻雜金剛石薄膜。

雖然磷的能級位於導帶底以下0.58eV，但是這種缺陷卻還是存在。

“缺陷的填補……”

陳舟手中的動作加快，鼠標的滾輪不斷滑動。

屏幕上的內容被陳舟拉到了共摻雜的部分。

【氮原子處於金剛石晶格中的替代位置，會形成激發能量為1.7eV的深施主能級，在室溫下不導電……】

【理論上，磷可以作為淺施主雜質，但磷原子的半徑大於碳原子半徑，很難摻入金剛石晶格中……】

【理論表明，磷—氮共摻的方法，也許是克服寬禁帶和超寬禁帶半導體自身補償的一種有效方法……】

【……】

看到這，陳舟手中的速度不自覺的慢了下來。

如果氮原子能夠填補缺陷，磷原子的摻雜就有了空間……

本來是準備先解決n型摻雜問題的，結果這一思考，問題就跳躍到了共摻雜？

因為四十三所的n型摻雜實驗，采用的是磷摻雜。

所以在共摻雜中，他們研究的便是磷—氮共摻的方法。

這也使得陳舟就這樣把兩者聯系在了一起。

陳舟不由得在心中笑了笑，但也隨即便決定將n型摻雜和共摻雜的問題放在一塊解決。

在共摻雜實驗中，最早被作為磷源的是PH3，被作為氮源的是N2。

但是，采用這兩種氣體進行實驗時，得到的結果卻並不理想。

制備出來的摻雜金剛石膜的電阻率很高。

隨後的實驗中，磷源和氮源的選擇被不斷變更。

像是NH4H2P04這種包含磷元素和氮元素的單一摻雜源，也被應用到了研究上。

但得到的金剛石膜的電阻率依然很高。

陳舟又看了一眼四十三所的實驗數據，隨即開始在草稿紙上整理可以作為氮源和磷源的物質。

在陳舟沉浸在研究中時，房間外的天色已經漸漸暗了下來。

“陳舟。”

被沈靖的聲音喊醒，陳舟疑惑的擡起頭看著沈靖。

沈靖指了指電腦：“數據分析完成了。”

“噢。”陳舟應了一聲，起身走到沈靖旁邊看了一眼。

分析的結果和他的預料基本上沒有多大差別。

“發給我，我做最後的處理。”

沈靖點點頭：“好。”

陳舟轉身就準備走回座位，這時沈靖拽住了他，指了指電腦屏幕的右下角。

陳舟看了一眼，這才驚覺居然已經六點半了。

想了想，陳舟並不打算在四十三所加班，還是回酒店舒服些。

於是，兩個人把資料整理好，跟彭飛那邊說了一聲，便離開了四十三所。