第二百四十六章 如果有這一半的速度，再加上這質量……（第2/2頁）

而用10kW微波功率的時候，他的沉積速率可以達到25μm/h。

也就是說，通過增大微波功率，可以提高金剛石薄膜的沉積速率。

除此之外，金剛石薄膜的沉積速率還和氣體壓力有關。

在高微波功率，高的甲烷與氫氣體積流量比，160Torr氣體壓力下，可以制備出150μm/h的多晶金剛石薄膜。

如果在同等條件下，將壓力提高至310Torr下，可以制備出165μm/h的單晶金剛石薄膜。

“氣體壓力……”

“微波功率……”

陳舟在草稿紙上寫下這兩個詞匯。

拿筆點了兩下，隨手便劃了兩個圈。

這是重點。

放下筆，陳舟滑動鼠標，繼續看文獻的內容。

MPCVD法之所以會成為最廣泛的方法，是因為這種方法比DAPCVD法制備的金剛石薄膜質量更好。

很好的解決了膜的致密度不高的問題同時，還可以產生大體積的金剛石薄膜。

此外，這種方法還能在曲面或者復雜表面上進行金剛石薄膜的沉積。

而且MPCVD法無內部電極，可以避免電極放電汙染和電極腐蝕。

可以說是滿足了制備高質量金剛石薄膜的條件。

但是，就像四十三所實驗室的裝置一樣，MPCVD法的沉積速率是硬傷。

看完了這篇詳細介紹MPCVD法的文獻後，陳舟不禁想到。

“如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制備質量，那這事不就成了嗎？”